碳化硅，也叫SiC，是一种半导体基材，由纯硅和纯碳组成。氮和磷在SiC中混合形成n型半导体，或者与铍、硼、铝或镓混合形成p型半导体。虽然碳化硅种类多、纯度高，但是半导体级碳化硅是近几十年才出现的。

    制作碳化硅比较简单的方法是将硅砂和碳在2500摄氏度的高温中熔化(如煤)。深色和普通的碳化硅通常含有铁和碳杂质，但是在2700摄氏度升华时，纯碳化硅是无色的。受热后，该晶体在较低温度下沉积于石墨上。

    Lely法：在这个过程中，花岗岩坩埚通过感应加热，得到高温升华碳化硅粉末。石墨棒低温浮在气体混合物中，纯碳化硅自然堆积成晶体。

    -化学蒸气沉积：制造商也可以用化学蒸气沉积法生长立方SiC，通常用于碳基合成工艺和半导体工业。一种特殊的混合化学气体进入真空环境，在沉积到底部前合并。

    两种生产碳化硅晶片的方法都需要大量的能量，设备和知识才能成功。更多内容资讯，请关注http://www.ayxsfyj.com/进行了解。